SK海力士旗下Solidigm传正评估在美国建造NAND闪存工厂

据路透社援引多名知情人士消息透露，韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）旗下的存储芯片供应商 Solidigm 正考虑在美国本土投资建设一座全新的 NAND 闪存生产工厂。这一潜在的重磅投资计划标志着全球芯片巨头正进一步响应美国推动半导体制造业回流的政策导向，旨在强化面向北美市场及关键客户的供应链韧性。 Solidigm 是SK海力士在2020年通过收购英特尔（Intel）NAND闪存及固态

消息人士称，SK海力士旗下Solidigm部门正考虑在美国建NAND存储芯片工厂

芯片制造商SK海力士的美国子公司Solidigm正在考虑在美国建造一座生产NAND闪存芯片的工厂，据三位知情人士透露，纽约州北部是选址的主要候选地。

估值10000亿，半导体超级IPO要来了？

目标估值高达1500亿美元（约10070亿元），拟募资150亿美元，有望刷新美股半导体IPO纪录。 而这家公司的前身，正是英特尔以约88.5亿美元出售的NAND闪存业务——从被剥离的非核心资产，到如今估值翻逾十倍的AI存储明星，Solidigm的蜕变折射出这轮AI基础设施投资热潮对存储赛道的深刻重塑。 据路透社援引三位知情人士透露，Solidigm本周已与多家投行举行IPO承销商竞标陈述会（bak

独家：消息人士称SK海力士旗下Solidigm考虑IPO，估值或高达1500亿美元

纽约，9月25日消息：据三位知情人士透露，芯片制造商SK海力士旗下子公司Solidigm正考虑最早于明年进行首次公开募股（IPO），该美国子公司的估值最高可达1500亿美元。 知情人士称，Solidigm本周与竞争IPO承销角色的投资银行举行了推介会议，这一过程被称为“烘焙大赛”，标志着该公司朝着可能成为美国史上最大规模半导体上市案迈出了实质性步伐。 三位知情人士表示，该公司IPO融资额可能达15

SK海力士与英特尔洽谈合作 或首次在美国生产存储芯片

据知情人士透露，韩国存储芯片巨头SK海力士正在与英特尔就一项潜在合作进行谈判。如果最终达成协议，SK海力士将首次在美国本土生产存储芯片。目前双方仍处于探索阶段，尚未作出最终决定。 知情人士称，目前讨论中的一种方案是，SK海力士租用英特尔位于俄亥俄州的部分芯片制造设施，并利用相关产能生产存储芯片。另一种方案则是由SK海力士、英特尔以及希望确保存储芯片供应的大型云计算企业共同成立合资企业。 目前尚不清

SK海力士CEO：内存短缺或将持续至2030年

SK海力士预计，当前的内存短缺局面可能会持续到2030年底，市场目前尚未出现明显的需求放缓迹象。SK海力士首席执行官郭鲁勋在公司位于美国印第安纳州的新封装工厂奠基仪式后表示，即使未来市场开始降温，也更可能表现为供应紧张状况逐步缓解，而不是像过去那样出现内存价格突然崩跌的情况。 该公司此前曾预计，面向普通市场的DRAM供应紧张将持续至2028年，此次最新表态意味着这一预期进一步延长。 郭鲁勋指出，内

SK海力士考虑与日本合作建内存工厂以供应AI热潮

这家韩国动态和闪存供应商正在考虑多个地点，用于联合运营的工厂。

长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场

中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。图为长鑫科技位于北京工厂外的标志。（路透社） 中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。路透社星期五（9月18日）引述三名知情人士称，在全球供应短缺的背景下，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场，以扩大其客户群体。此举也将让专攻动态随机存取存储器（DRAM）的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰

独家：消息人士称SK海力士正与英特尔洽谈首次在美国生产内存芯片的交易

三位知情人士透露，韩国SK海力士正与英特尔洽谈一项交易，将首次在美国本土生产内存芯片。

#行情 美股盘前，英特尔涨约5%，SK海力士涨约3%，报道称SK海力士正与英特尔洽谈，拟首次在美生产存储芯片。

SK海力士CEO称正考虑与铠侠加强合作

SK海力士首席执行官郭鲁正表示，该公司正在探索深化与日本闪存生产商铠侠控股公司合作的方式，这家韩国芯片制造商持有铠侠大量间接股份。 郭鲁正周四在印第“对于公司在铠侠的股份，我们没有任何固定计划。”“但我们正在非常仔细地研究如何为我们的客户和供应商共同开发NAND闪存市场。”郭鲁正表示，作为全球第二大内存制造商，SK海力士还希望为日本半导体产业的发展做出贡献，就像它计划在印第安纳州所做的那样，该公司

日韩两大存储巨头抱团，中国企业如何应对？

还记得7年前的日韩半导体大战吗？2019年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。 韩国虽然采取了反制+自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。如今，风向又变了。 最近，韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。 要知道，在全球NAND

SK海力士开始在印第安纳州建设50亿美元存储芯片枢纽

据《海峡时报》报道，韩国芯片制造商SK海力士已开始在美国印第安纳州建设一个耗资50亿美元的存储枢纽。该项目预计将创造约7000个直接和间接就业岗位。这项投资是美国一系列半导体制造公告中的最新一项。

日本争取SK海力士芯片工厂面临韩国政策障碍

首尔/日本仙台——日本东北部的宫城县希望韩国SK海力士在当地建设尖端存储芯片工厂，但此举遭遇华盛顿方面的类似游说努力，以及首尔因技术泄露担忧而不愿批准新的外国设施。

据报道，SK海力士正在与英特尔商谈一项合作事宜：双方计划首次在美国共同生产内存芯片。

SK海力士正与英特尔就在美国（可能在俄亥俄州）生产存储芯片进行谈判。该协议将有助于英特尔和特朗普政府，但首尔方面的反对意见可能成为一大障碍。 2026年9月16日，印度标准时间上午5:56。据三位知情人士透露，韩国SK海力士正与英特尔洽谈一项协议，若达成，SK海力士将首次在美国本土生产存储芯片。 据其中一位人士称，在一种潜在方案中，SK海力士将租用英特尔长期规划的俄亥俄州芯片制造工厂的一部分。另外

长鑫存储拟布局闪存领域 应对全球存储芯片短缺

据报道，中国动态随机存取存储芯片龙头企业长鑫存储正筹划进入NAND闪存市场。消息人士透露，该公司计划在北京新厂设立NAND闪存研发生产线并成立研究院，目前已与部分客户就供应计划展开探讨。此举旨在全球存储芯片持续短缺的背景下拓宽客户群体，同时也将使其与三星等外企及国内NAND巨头长江存储展开正面竞争。 在全球人工智能需求爆发与美国出口限制双重推动下，中国存储芯片产业链正加速自主化布局。此前长鑫存储与

SK海力士在硅谷成立创投品牌“SK hynix Ventures”

韩国存储芯片巨头SK海力士宣布正式成立企业风险投资品牌“SK hynix Ventures”，总部设于美国硅谷。此举被视为公司在人工智能时代进一步扩大投资布局的重要一步，未来将重点押注AI技术、下一代数据中心基础设施以及相关核心软硬件生态。 SK海力士是在首届“SK hynix Ventures Day”活动上公布这一消息的。活动在硅谷举行，吸引了来自全球风险投资机构以及多家科技初创企业代表参与。

崔泰源：正在考虑日本等半导体工厂投资…即将公布

▲ SK集团会长崔泰源。/大韩商工会议所提供SK集团会长崔泰源正在日本访问，关于在日本宫城县设立半导体合资工厂的可能性等，“正在持续考虑。” 据财界称，韩日商工会议所会长团会议8月31日在日本仙台举行，“（在日本新建半导体生产工厂等）还在考虑”，“商讨结束后将对外公布。” “是否有计划在日本宫城县建设半导体生产设施”，“是否推进在日本建设存储半导体合资工厂”等，崔泰源亲自作出了上述回答。 但他没有

SK海力士在印第安纳州启动40亿美元内存枢纽建设

SK海力士公司周四为其位于印第安纳州的先进内存封装工厂举行了奠基仪式，这标志着华盛顿方面旨在重建国内供应链和战略性重要行业制造业的广泛运动中的一个里程碑。 这座位于西拉法叶的工厂耗资超过40亿美元，占地133.5英亩，将是SK海力士在美国的首个高带宽内存封装基地。其洁净室预计将于2028年10月投入使用，下一代HBM的大规模生产计划于2029年下半年开始，首席执行官郭鲁正在活动上表示。全面投产后，

SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺

随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。

长鑫存储和长江存储正在加速进入彼此的核心业务领域

中国存储芯片产业正在迎来新的竞争阶段。长期以来分别深耕不同市场的两家龙头企业——长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC），正在加速进入彼此的核心业务领域，一场围绕DRAM与NAND两大市场的正面竞争正逐渐展开。 过去几年中，两家公司一直维持着相对清晰的市场分工。长鑫存储主要聚焦DRAM内存芯片，而长江存储则专注于NAND闪存产品。随着人工智能浪潮重塑全球半导体供应链，这种业务边界正在被打破。据产

苹果或签铠侠NAND长期协议 3到5年合约无价格上限

据TrendForce报道，苹果近期在NAND闪存采购上转向签订长期供应协议（LTA），这对于一向以强劲议价能力著称的苹果而言，无疑是一次战略层面的显著转变。 此前，长期供应协议主要集中于HBM领域，如今正逐步扩展至DRAM和NAND闪存。 铠侠（Kioxia）长期被视为苹果的重要供应商与合作伙伴，有传闻称双方已就NAND闪存签署长期供应协议。 另有消息指出，该协议可能远超常规供货合同，不仅期限长

美光员工以罢工相威胁 要求分享AI热潮红利

随着人工智能热潮推动存储芯片需求激增，DRAM和NAND闪存制造商的利润大幅攀升。在SK海力士和三星已向员工发放丰厚奖金后，公司何时才能让员工分享这波红利。 台湾媒体近日报道，美光旗下两大主要工会对公司利润快速膨胀背景下的员工薪酬水平表示不满。工会可能以罢工相威胁，这不仅可能扰乱本已紧张的全球存储芯片供应，还可能进一步推高各类科技产品的价格。 工会主席林哲瑞指出，美光的利润已在AI浪潮中创下新高。

SK海力士考虑采用英特尔晶圆代工生产HBM4E基础裸片

据韩国《先驱报》报道，英特尔晶圆代工业务有望赢得SK海力士HBM4E内存基础裸片的制造订单。报道称，SK海力士正考虑改变目前仅依赖台积电的供应模式，转而采取台积电与英特尔双重供应策略，而英特尔晶圆代工可能获得其中相当大的一部分订单。 HBM4E内存支持在基础裸片上集成定制逻辑，并在其上方堆叠DRAM裸片。此前，SK海力士在这一应用上只考虑台积电，如今英特尔也进入了候选名单。 通过这种设计，客户可以