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长鑫双喜临门：G5平台量产逼近三星、LPDDR6全球首发抢跑
在合肥举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 作为参照，三星当前最先进的D
长鑫HBM量产遇挫：据报良率跌至25% HBM3最终测试近八成不合格
长鑫存储（CXMT）在前沿高带宽内存（HBM）的攻坚道路上面临严峻的良率考验。据科技媒体wccftech引述行业供应链调查及韩国产业界最新披露的报告显示，长鑫存储在试产针对人工智能算力芯片的8层堆叠HBM3内存颗粒时遭遇严重工艺瓶颈，综合良率长期徘徊在25%至30%的低位区间，若叠加极为严苛的最终封测与性能评估环节，下线的芯片产品中甚至有近80%未能通过终检测试，实际综合产出率面临巨大挑战。 作为
存储厂商产能转向企业长期协议 消费级硬件价格大幅飙升
存储制造商将产能转向企业长期协议，导致消费级硬件价格大幅上涨。 主要存储制造商，包括三星、美光和铠侠，正将供应转向与超大规模数据中心和企业客户签订的三至五年长期协议（LTA），将总产能的50%至70%分配给人工智能和数据中心需求。 这种远离消费渠道的结构性重新分配导致消费电子产品价格严重上涨，过去一年DDR5内存和SSD价格涨幅达到三位数百分比。 亚马逊、微软和谷歌等云服务提供商正看到云采用加速，
财经早知道｜华为时隔六年再次发布高性能芯片
中国8月末外汇储备报34383亿美元，环比增加195亿美元，为连续第2个月增长，主要原因是汇率折算和资产价格变化等因素的综合作用。 中国8月末黄金储备报7673万盎司，环比增加65万盎司，中国央行已连续第22个月增持黄金。 时隔六年，华为再次发布高性能芯片麒麟9050 Pro，为全球首款落地“韬定律”、采用逻辑折叠技术的旗舰芯片。该芯片对逻辑单元分层排布，内部增设垂直互联通道，信号传输路径更短、时
国产第五代内存芯片技术有多强：无需EUV 四重曝光逼近三星11nm工艺
快科技9月21日消息，今天中午长鑫科技又宣布了一个重大消息，其第五代技术平台正式量产，简称G5，并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。 先看产品规格，有两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，均已进入规模量产阶段。 虽然还不是最新的LPDDR6，但这应该不是技术做不到，而是市场
传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与
存储芯片涨价压力持续蔓延 分析师警告苹果产品未来两年或仍面临提价压力
全球存储芯片市场正在经历新一轮价格上涨，而这一趋势可能持续影响未来数年的智能手机定价。最新行业分析指出，随着DRAM内存价格不断攀升，包括苹果在内的智能手机厂商将面临越来越大的成本压力，消费者未来购买iPhone时或许还将继续面对价格上涨。 分析人士认为，本轮内存价格上涨与人工智能产业快速扩张密切相关。近年来，大型语言模型、AI推理平台以及数据中心基础设施建设带动了对高性能存储产品的巨大需求，使得
中国企业上半年利润两位数增长，也有1/4亏损
中国上市企业的业绩呈现出两极分化态势。2026年上半年（1～6月），中国上市企业的净利润总额同比增长2成。虽然抓住人工智能（AI）需求的半导体企业起到重要拉动作用，但最终亏损的企业也达到四分之一，创历史最高水平。食品及房地产等内需相关企业的经营环境严峻，经济的不平衡在扩大。 《日本经济新闻》对在上海及深圳等中国本土市场上市的企业（不含金融业）中，能够与上年同期进行比较的约5400家企业进行了
北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁
随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储
中国存储制造商押注先进封装，力求攀升价值链
中国存储制造商长期以来一直以将芯片封装成模块而闻名，如今它们正逐步向产业链上游延伸，涉足晶圆级封装技术。最近，又有一家公司宣布投资45亿元人民币（约合6.72亿美元）用于开发先进的封装技术。 这家在上海证券交易所上市的公司——Biwin Storage Technology——将把这笔资金用于其在广东省东莞市实施的先进封装及测试项目的第三阶段建设。该投资金额超过了该公司前两阶段投资总额（30.9亿
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI
2027年DRAM无悬念大缺货 存储原厂突发“友善通知”
据Digitimes报道，近期业界陆续收到上游存储器原厂的“友善通知”，明确转达2027年出货量将大幅紧缩，DRAM供需缺口非常大，甚至原厂2027至2028年产能几乎都被预订完。十铨总经理陈庆文表示，真正严重的缺货可能落在2027年上半年，届时外部能取得的货量非常少，十铨将只能挑选客户供货。他担忧存储芯片相关厂商挑客户因素恐怕牵动后续营收。 陈庆文指出，DRAM需求目前比NAND闪存更加稳固，缺
SK海力士旗下Solidigm传正评估在美国建造NAND闪存工厂
据路透社援引多名知情人士消息透露，韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）旗下的存储芯片供应商 Solidigm 正考虑在美国本土投资建设一座全新的 NAND 闪存生产工厂。这一潜在的重磅投资计划标志着全球芯片巨头正进一步响应美国推动半导体制造业回流的政策导向，旨在强化面向北美市场及关键客户的供应链韧性。 Solidigm 是SK海力士在2020年通过收购英特尔（Intel）NAND闪存及固态
4GB与6GB GDDR7显存颗粒或于2027至2028年登场
显卡行业长期存在的显存容量瓶颈，未来几年或许将迎来重要突破。最新爆料显示，存储芯片厂商正在规划推出单颗容量达到4GB和6GB的GDDR7显存颗粒，如果相关计划顺利推进，下一代消费级和专业级显卡有望获得远超当前水平的显存配置。 消息来自业内知名爆料人士“Golden Pig Upgrade”。根据其说法，存储厂商预计将在2027年至2028年期间陆续推出4GB和6GB容量的GDDR7显存颗粒。虽然目
日韩两大存储巨头抱团，中国企业如何应对？
还记得7年前的日韩半导体大战吗？2019年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。 韩国虽然采取了反制+自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。如今，风向又变了。 最近，韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。 要知道，在全球NAND
据悉铠侠考虑在美国上市筹资100亿美元
知情人士称，铠侠控股公司正考虑通过在美国上市存托凭证筹资至少100亿美元，可能加入其他人工智能相关公司的行列，寻求利用投资者的强劲需求。 因消息未公开而要求匿名的知情人士称，铠侠一直在与包括美国银行、高盛集团和摩根大通在内的贷款机构洽谈，此次发行可能于明年进行。知情人士称，这家总部位于东京的存储芯片制造商在日本回购了价值数十亿美元的股票后，希望通过在美上市获得更多流动性。 知情人士称，发行美国存托
SK海力士与英特尔洽谈合作 或首次在美国生产存储芯片
据知情人士透露，韩国存储芯片巨头SK海力士正在与英特尔就一项潜在合作进行谈判。如果最终达成协议，SK海力士将首次在美国本土生产存储芯片。目前双方仍处于探索阶段，尚未作出最终决定。 知情人士称，目前讨论中的一种方案是，SK海力士租用英特尔位于俄亥俄州的部分芯片制造设施，并利用相关产能生产存储芯片。另一种方案则是由SK海力士、英特尔以及希望确保存储芯片供应的大型云计算企业共同成立合资企业。 目前尚不清
长鑫G5平台量产解读，全球内存市场“三国演义”变“四国杀”？
具体信息，公开报道很多，这里先重点分析G5平台三个核心工艺指标背后的意义，感觉技术解读枯燥，有源区半间距11.95nm，这是存储阵列密度的核心指标。长鑫靠四重曝光的ArF浸没式DUV实现，即全程零EUV。第三方拆解机构TechInsights实测其G5代DDR5特征尺寸F为16.0nm，确认无EUV参与，这实际证明在15-16nm区间DUV仍可行，客观上削弱了“EUV禁运即可锁死中国先进存储”的图
美管制致HBM短缺 传中国AI芯片厂大幅涨价
在美国收紧高带宽内存（HBM）对华出口管制、全球供应短缺持续紧张之际，中国人工智能（AI）芯片厂开始大幅调价。
中国第二大晶圆代工厂华虹投资20亿美元新建晶圆厂以满足AI驱动的激增需求
中国主要晶圆代工厂华虹半导体（Hua Hong Grace Semiconductor）正投入20亿美元，在中国芯片生产重镇无锡进行大规模产能扩张，以应对国内对AI基础设施的飙升需求，并规避美国的技术限制。 这家中国第二大合同芯片制造商周二向香港交易所提交的文件显示，这笔新资金将用于建设一条新的12英寸特种工艺生产线，这是该公司在无锡的第三座工厂。 全面投产后，该扩建项目将为其月产能增加5.5万片
中国据报摸底储能产能 新建项目审批暂缓
中国媒体引述消息人士报道，储能行业产能过剩风险加剧，中国有关部门正全面摸排产能，并暂缓审批新建产能项目。 财联社星期天（9月6日）报道，多位产业链人士透露，中国有关部门近期正全面摸排现有及规划中的储能产能，储能电芯是重点领域之一。 尚处规划阶段、尚未正式开工的项目将暂缓审批和推进，已经备案并开工建设的项目则不受影响。 多位业内人士表示，此次收紧并非全面叫停，后续有望根据市场实际需求动态调整。
结构性过剩风险凸显 业内称储能电芯未来数年或迎产能出清
在经历数年爆发式增长后，储能行业正面临产能结构性过剩风险。远景科技集团高级副总裁田庆军近日在2026世界动力电池大会上表示，今年储能电芯规划扩产规模已超800GWh，至年底建成产能约1.2TWh‑1.5TWh，规划总产能突破2TWh，已大幅超出全球市场真实需求。 田庆军分析，电芯制造与光伏组件类似，产线启停成本高昂，具有连续生产的刚性。一旦产能过剩，企业为保住现金流和市场份额，极大概率会重蹈光伏行
【行业深度】拆解A股存储芯片产业链中报 繁荣表象下哪些环节盈利分化？
【财新数据专稿】A股存储芯片产业链龙头2026年半年报整体表现出色，但若分季度观察，二季度实际上是细分板块景气度边际变化的关键节点。 2026年，海外原厂（三星、SK海力士、美光）将先进制程产能锁定于HBM、高层数3D NAND及先进DDR5，通用存储供给持续受限。合约价经历多轮修复后，二季度进入高位震荡、涨幅收窄阶段。在存储芯片下游市场，虽然AI服务器正成为新的核心增长极，但占据超五成的智能手机