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长鑫总经理回应与苹果合作：保持开放 已具备与国际主流厂商竞争能力
公司始终以开放的态度与全球范围内的优质客户探讨合作机会。赵纶指出，公司产品在性能、质量和供应稳定性方面已具备与国际主流厂商竞争的能力。 关于公司生产经营中所涉及的客户及商业合作细节等信息，请以公司公开披露的信息为准。 被问及LPDDR6今年能否量产时，赵纶则表示，LPDDR 系列产品是公司重要的产品线之一，公司在该领域持续投入研发，产品性能与可靠性不断提升，已具备与国际主流厂商同台竞争的能力。此次
长鑫存储与长江存储被曝已准备可用三年的ASML DUV光刻机
为了应对日益收紧的半导体制造设备出口管制，中国两大头部存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）被曝在过去数个季度内展开了大规模战略储备。最新行业调查报告指出，两家芯片巨头已提前采购并储备了充足的阿斯麦（ASML）深紫外（DUV）光刻机及关键零部件，其现有储备量足以支撑未来长达三年的扩产与日常晶圆制造需求。 近年来，随着欧美多国针对先进制程半导体制造设备的限制范围逐步从极紫外（EUV
长江存储IPO火速进入已问询状态 市值冲击3万亿
按目前节奏，长江存储有望在今年年底或明年年初正式挂牌上市，届时国产存储双雄长鑫科技与长江存储将齐聚资本市场。 估值定价上，可以用长鑫科技作为参照，长鑫科技7月27日登陆科创板，首日市值3.31万亿元超越工商银行登顶A股，16个交易日后一度突破4万亿元，目前最新市值约3.72万亿元。 据报道，如果到时候长鑫科技继续维持当前的估值与市值水平，那么长江存储潜在的市值规模会在3万亿元人民币以上。 此外未来
北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁
随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储
长鑫科技起诉美国五角大楼 要求移出涉军企业名单
中国领先的存储晶片制造商长鑫科技起诉美国五角大楼，要求撤销将其列入美国认定协助中国军方的企业名单。 据报道，长鑫科技星期五（8月28日）提出诉讼，并在诉状中表示该公司与中国军方没有关联。公司也指出，长鑫科技设计、生产和销售的动态随机存取存储器（DRAM）晶片用于民用和商业用途，而非军事用途。 长鑫科技在美国拜登政府时期被美国国防部认定为“中国军工企业”，美国特朗普政府今年6月更新名单时，仍将长鑫存
美光推出全球首款512GB DDR5内存条 单台服务器内存容量可突破12TB
人工智能与超大规模数据处理需求正不断推高服务器内存容量的发展速度。存储芯片巨头美光日前宣布，已成功演示全球首款容量达到512GB的DDR5服务器内存模块，标志着企业级内存技术迈入新的密度时代。该产品不仅刷新了单条DDR5内存容量纪录，也为未来人工智能服务器和云计算基础设施提供了更大的扩展空间。 据介绍，这款512GB DDR5 RDIMM模块传输速率最高可达9200MT/s，属于目前性能最强、容量
中国存储制造商押注先进封装，力求攀升价值链
中国存储制造商长期以来一直以将芯片封装成模块而闻名，如今它们正逐步向产业链上游延伸，涉足晶圆级封装技术。最近，又有一家公司宣布投资45亿元人民币（约合6.72亿美元）用于开发先进的封装技术。 这家在上海证券交易所上市的公司——Biwin Storage Technology——将把这笔资金用于其在广东省东莞市实施的先进封装及测试项目的第三阶段建设。该投资金额超过了该公司前两阶段投资总额（30.9亿
SK海力士CEO：内存短缺或将持续至2030年
SK海力士预计，当前的内存短缺局面可能会持续到2030年底，市场目前尚未出现明显的需求放缓迹象。SK海力士首席执行官郭鲁勋在公司位于美国印第安纳州的新封装工厂奠基仪式后表示，即使未来市场开始降温，也更可能表现为供应紧张状况逐步缓解，而不是像过去那样出现内存价格突然崩跌的情况。 该公司此前曾预计，面向普通市场的DRAM供应紧张将持续至2028年，此次最新表态意味着这一预期进一步延长。 郭鲁勋指出，内
存储涨价拦不住！中国移动直接砸近10亿元：采购4000万片存储芯片
快科技9月24日消息，据中国移动采购与招标网公告，中国移动通信集团终端有限公司于9月20日发布《2025年至2028年存储芯片合作伙伴动态短名单第二次增补采购项目》资格预审公告。 公告显示，该项目为终端公司及繁星智算提供存储芯片，采购上限为4000万片（非承诺量），预算含税金额约9.76亿元。资格预审有效期至2028年12月31日。 供应商采用合格制，不限定中选数量。资金来源为产品中心及繁星智算2
三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
随着人工智能产业持续推动高带宽存储需求增长，三星电子正在进一步加码HBM4布局。根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的一半左右。 HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，也是未来高性能AI加速器的重要组成部分。与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分
五项第一！纯国产AI存储首次杀入全球第一梯队：中国芯+中国存储
快科技9月17日消息，据MLCommons官方公布的最新结果，基于兆芯开胜KH-50000处理器的纯国产AI存储方案AS13000G7，在全球权威AI存储基准测试MLPerf Storage V3.0中斩获五项第一，成为业界首个闯入全球第一梯队的全国产AI存储方案。 本次测试覆盖大模型训练Checkpointing、大模型推理KVCache、高性能计算UNet3D三大核心场景，AS13000G7参
三星已在高通骁龙8 Elite Extreme Gen6完成16GB LPDDR6内存验证
据业内人士23日消息，三星电子已在高通下一代移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen6上完成16GB LPDDR6内存验证，最高速率可达10.7Gbps。本次验证是三星从新产品开发早期阶段就与全球应用处理器（AP）厂商持续合作的成果。存储厂商即便成功研发出新产品，也必须通过与应用处理器的兼容性、运行稳定性验证流程，才能最终搭载到智能手机中。 三星于2021年推出第七代移动DRAM LPD
中国最大的存储芯片制造商表示已赶上三星和美光
我们的工艺能力现已与业界最先进的大规模生产技术相当。长鑫存储科技有限公司副总裁、市场部负责人罗晓东在合肥举行的世界制造业大会上表示（据路透社报道），这家中国最大的DRAM制造商刚刚宣布其第五代技术平台已进入大规模生产阶段。 长鑫存储在其官方网站上详细介绍了该技术的具体参数：芯片的活性区域尺寸为11.95纳米，存储电容器的纵横比为45:1；该公司通过四步曝光工艺实现了这些技术指标。与第四代技术相比，