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三星HBM4价格或飙升至HBM3E的三倍 持续改变DRAM产业的供需结构
随着人工智能产业持续扩张，高带宽内存（HBM）正在成为全球存储行业最重要的增长引擎。市场最新信息显示，三星下一代HBM4产品定价可能达到现有HBM3E产品的三倍左右，这一趋势不仅将进一步推高AI硬件成本，也可能持续改变整个DRAM产业的供需结构。 业内预计，HBM4将成为存储行业历史上最昂贵的大规模量产内存产品之一。与HBM3E相比，新产品不仅性能和带宽大幅提升，还引入更复杂的制造与封装工艺。尤其
三星高管：预计明年HBM将占DRAM全球产能近三成
AI需求推动存储厂商加码HBM，传统DRAM供应承压。三星高管预计明年HBM将占全球DRAM晶圆总产能近三成，市场研究机构同时上调了2027年HBM价格预期。 三星电子执行副总裁Kim Taewoo 9月29日表示，预计明年HBM将占DRAM厂商晶圆总产能的近30%，目前该比例约为20%。HBM与传统DRAM争夺同一批晶圆产能，扩大HBM产出可能挤压传统DRAM供应。 三星已于2月开始量产出货HB
三星计划2027年大幅扩充HBM4与HBM4E产能 预计相关产量至少翻倍
随着人工智能数据中心对高带宽内存的需求持续增长，三星电子正加快扩充下一代HBM产能。最新消息显示，三星计划在2027年将HBM4系列产品的产量至少提高一倍，其中包括第六代高带宽内存HBM4以及后续的HBM4E。与此同时，三星还在明显增加HBM生产过程中所需的玻璃载板处理能力，这被业内视为公司正在为更大规模的高堆叠HBM生产提前准备。 据半导体行业消息人士透露，三星计划将明年外包的玻璃载板清洗量提高
传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与
三星计划2027年将HBM4和HBM4E产能翻倍
据业内消息人士透露，三星电子计划在明年（2027年）将其HBM4和HBM4E高带宽内存芯片的产量翻倍以上。 公司计划将用于晶圆减薄的关键支撑材料——玻璃载板的月外包清洗量从今年的2万片增加到明年的5万片。此次产能扩张主要集中在12层及更高堆叠的产品上。 三星此前已于2月开始量产HBM4，并于5月向包括英伟达在内的客户提供了HBM4E样品。预计明年HBM总产量将从每月约18万片晶圆增加到25万片。
三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场
2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二
三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
随着人工智能产业持续推动高带宽存储需求增长，三星电子正在进一步加码HBM4布局。根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的一半左右。 HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，也是未来高性能AI加速器的重要组成部分。与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI
存储芯片涨价压力持续蔓延 分析师警告苹果产品未来两年或仍面临提价压力
全球存储芯片市场正在经历新一轮价格上涨，而这一趋势可能持续影响未来数年的智能手机定价。最新行业分析指出，随着DRAM内存价格不断攀升，包括苹果在内的智能手机厂商将面临越来越大的成本压力，消费者未来购买iPhone时或许还将继续面对价格上涨。 分析人士认为，本轮内存价格上涨与人工智能产业快速扩张密切相关。近年来，大型语言模型、AI推理平台以及数据中心基础设施建设带动了对高性能存储产品的巨大需求，使得
存储厂商产能转向企业长期协议 消费级硬件价格大幅飙升
存储制造商将产能转向企业长期协议，导致消费级硬件价格大幅上涨。 主要存储制造商，包括三星、美光和铠侠，正将供应转向与超大规模数据中心和企业客户签订的三至五年长期协议（LTA），将总产能的50%至70%分配给人工智能和数据中心需求。 这种远离消费渠道的结构性重新分配导致消费电子产品价格严重上涨，过去一年DDR5内存和SSD价格涨幅达到三位数百分比。 亚马逊、微软和谷歌等云服务提供商正看到云采用加速，
三星内存持续涨价可能逼迫苹果再次上调iPhone售价
苹果可能在明年再次提高部分iPhone产品的售价。最新消息称，苹果已经接受三星电子针对下一代iPhone所提出的更高内存供应价格，而持续上涨的内存成本可能最终转嫁给消费者。 目前全球内存市场正经历一轮明显的供应紧张。人工智能数据中心持续建设，使服务器DRAM和HBM等高性能内存的需求大幅增长，内存厂商因此将更多产能投入利润更高的AI相关产品。与此同时，智能手机厂商仍然需要大量移动设备内存，这使包括
美管制致HBM短缺 传中国AI芯片厂大幅涨价
在美国收紧高带宽内存（HBM）对华出口管制、全球供应短缺持续紧张之际，中国人工智能（AI）芯片厂开始大幅调价。
PC用DRAM价格连续7个月走高
来自英伟达的人工智能（AI）服务器相关需求正在助推半导体存储器DRAM行情加速走高。用于个人电脑（PC）等设备的通用DRAM产品价格环比上涨5%，面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应AI服务器专用内存，其连锁效应正在进一步扩散。 DRAM除用于个人电脑、相机、智能手机之外，也搭载于数据中心的AI服务器等设备上，承担数据临时存储的功能。存储器厂商作为卖方，设备厂商、模块厂商作为买方，按
SK海力士考虑采用英特尔晶圆代工生产HBM4E基础裸片
据韩国《先驱报》报道，英特尔晶圆代工业务有望赢得SK海力士HBM4E内存基础裸片的制造订单。报道称，SK海力士正考虑改变目前仅依赖台积电的供应模式，转而采取台积电与英特尔双重供应策略，而英特尔晶圆代工可能获得其中相当大的一部分订单。 HBM4E内存支持在基础裸片上集成定制逻辑，并在其上方堆叠DRAM裸片。此前，SK海力士在这一应用上只考虑台积电，如今英特尔也进入了候选名单。 通过这种设计，客户可以
长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存
据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产
三星电子将不再自行扩产传统DDR5模组 新增产能全部转向外包
三星电子正在调整传统内存模组的生产策略。随着人工智能相关产品对先进封装产能的需求持续增长，三星计划将新增的传统内存模组产能全部交由外部合作伙伴扩充，自身则把有限的后端生产空间和设备集中用于高带宽内存（HBM）等高价值产品。 据业内消息人士透露，三星近期正在大力要求旗下外包半导体封装测试（OSAT）合作伙伴扩大生产线，以满足传统内存模组不断增长的需求。与其自行扩建用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR
《金融时报》：AI抢晶片引发“记忆体末日” 消费电子产品将愈来愈贵
（伦敦8日综合电）英国金融时报（FT）分析，人工智能（AI）热潮引发记忆体晶片短缺，形成所谓的“记忆体末日”（RAMageddon），带动晶片价格上涨，并扭转消费电子装置长年来的跌价趋势，在可预见的未来，日常电子产品可能会持续涨价。 英国零售商协会（BRC）首席经济学家迪隆表示，AI投资热潮推高记忆体晶片与其他零组件成本，扭转了过去消费者常能以较低价格，买到性能增强电子装置的趋势。Counterp
报告：三星扩大全球DRAM市场领先优势 份额达39%
市场研究机构集邦咨询（TrendForce）周一发布的一份行业报告显示，2026年第二季度，三星电子以营收口径计算占据全球动态随机存取存储器（DRAM）市场39.4%的份额，在全球人工智能热潮下进一步扩大领先优势。 这份报告显示，这家韩国头部存储芯片厂商4‑6月DRAM营收环比大增63.4%，达到609.8亿美元；其市场份额较一季度的38.5%有所提升。 韩国SK海力士位列第二，市场份额为24.9
长鑫存储全球DRAM营收份额升至10%
市场调研机构 Counterpoint Research 最新发布的跟踪报告显示，中国存储芯片龙头长鑫存储（CXMT）在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场迎来爆发式增长，其营收规模在全球市场的份额已跃升至10%。凭借强劲的业绩表现，长鑫存储正稳固占据全球第四大 DRAM 供应商的位置，并进一步缩小与行业领先者的差距。 本轮业绩的大幅飙升主要得益于人工智能基础设施建设引发的全球内存供应紧张。随着
“三星海力士存储库存不足10天…明年或现库存枯竭的空前事态”
▲ 7日上午，首尔中区韩亚银行交易室的屏幕上显示着KOSPI与KOSDAQ指数。当天，KOSPI以6910.78点开盘，较前一个交易日上涨223.57p（3.34%）。/News1 7日，韩国KB证券发布分析报告称，随着人工智能（AI）投资落地，接下来存储半导体市场将面临史无前例的供给短缺。针对近期经历股价调整进入低估区间的三星电子与SK海力士，报告预测将迎来“超强重估”。 当天，“近期全球超大规
美光计划将HBM产能扩大一倍 到今年年末将月产约10万片
美光计划将高带宽内存（HBM）产能较去年扩大一倍。公司将在年底前推进激进的设备投资，强化新一代HBM——HBM4 12层产品的供货能力。此举意在补齐相较于三星电子、SK海力士的HBM产能短板，提升市场份额。 据3日业内消息，美光计划至今年年底，HBM产能（以晶圆为统计口径）最多每月新增6万片。美光去年HBM月产量维持在4‑5万片的水平，今年的净增量将超过去年的原有产能。 “美光正在开展大规模设备投
三季报在即，三星电子和海力士面临“极高预期”，考验“全球AI交易”
AI驱动的强劲需求和新一代存储技术的推进，韩国两大芯片巨头三星电子和SK Hynix正处于全球半导体“超级周期”的中心。随着这两家公司第三季度财报临近，其业绩表现将成为全球市场检验“AI交易”盈利持久性的关键试金石。 市场目前对两家巨头的业绩抱有极高预期。据《首尔经济日报》引述FnGuide的数据，第三季度三星电子预计将实现199.1万亿韩元的营收和105.6万亿韩元的营业利润，而SK Hynix
德国DDR5内存价格指数创历史新高 一年内涨幅超过54%
欧洲内存市场持续经历新一轮涨价潮。最新统计数据显示，德国DDR5内存价格指数再次刷新历史纪录，与去年同期相比整体价格已经上涨54.4%，显示出内存市场供应紧张局面仍在持续加剧。 数据显示，自今年年初以来，DDR5内存价格便处于持续上涨通道之中。进入第三季度后，涨价速度进一步加快，多个主流容量和规格产品接连突破此前价格高点。无论是面向普通消费者的桌面内存，还是用于高性能游戏平台和工作站的高频DDR5
内存价格涨势放缓，因买家资金耗尽
内存价格终于开始放缓，原因并非供应改善，而是买家资金耗尽。TrendForce预计，第三季度传统DRAM合约价格环比上涨13%至18%。 Dan Robinson在The上报道了这一预测，并将其与欧洲单独的发货数据相结合，这些数据[…]