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中国存储芯片技术加速追赶全球领先水平 韩国产业协会称部分领域差距已缩小至1至3年
中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中国两大存储器企业长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）在关键技术领域已实现显著追赶，其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年，DRAM领域约为2年，而高带宽存储器（HBM）领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是，仅在数年前，业内普遍认为中国存储器产业与
国产存储崛起！中国内存产能占比预计2030年达20%
快科技9月22日消息，韩国业内预计，中国存储器生产能力占全球的比重到2030年将提升至20%左右，目前这一比例约为10%出头。 这意味着全球每生产5片DRAM晶圆，就有1片来自中国。韩媒将此视为对三星电子和SK海力士的实质性威胁。 报道称，中国企业近年来正加快进入存储器市场，代表企业包括中国最大DRAM厂商长鑫存储和NAND厂商长江存储。 目前，中国存储器企业的扩产已不只是单纯增加产能，同时也在推
140万韩元盗窃罪判有期徒刑3年，300亿技术泄露罪判2年4个月
▲ 近5年海外技术泄露事件的趋势成立于1976年的PECO TEC公司为SK海力士和三星电子供应半导体组装所需的设备“毛细管劈刀（Capillary）”。毛细管劈刀用于将粗细为头发五分之一的金属线连接到半导体芯片上，是高带宽存储器（HBM）工艺的核心设备。PECO TEC公司十年来投入超过300亿韩元（人民币约1.5亿元）开发技术，目前占据全球毛细管劈刀市场的70%以上。 但PECO TEC开发的
回声报：遭中国“窃取”科技机密，韩国强化其“反工业间谍”武器库
据《回声报》驻东京通讯员扬·卢梭的报道，韩国政府周日（9月13日）启动一项新法，严惩窃取其科技巨头机密的个人与机构，并直指部分中国企业在半导体技术领域的惊人跃升。从三星到长鑫存储的“手工抄录”《回声报》引述首尔检方称，一名代号为“J”的工程师在 2016 年离开三星电子、转投中国长鑫存储（CXMT）之前，连续四天用手写在笔记本上，抄下了三星多年研发形成的内存芯片生产流程共 600 个步骤。 为避免
韩国扩大间谍罪适用范围 防芯片技术流向中国
周日（9月13日），韩国将正式扩大间谍罪适用范围，把过去主要针对朝鲜的法律，延伸至其它外国或同等组织。 修法正值中企快速追赶韩国半导体产业，多宗涉及中国的技术外泄案也接连曝光，首尔正把核心技术保护提升至国家安全层级。
韩媒终于服了！中国玻璃基板商业化速度已超韩国：英伟达芯片要靠它提速40%
快科技9月28日消息在玻璃基板商业化进程上正全面超越韩国。韩企仍在逐项验证工艺、犹豫是否投资量产线时，中国企业已先行搭建产线、产出样品并交由客户测试，商业化节奏明显更快。 玻璃基板被业界视为下一代先进封装的核心材料，主要面向AI计算芯片和数据中心光通信。其优势在于可适配大尺寸矩形面板，材料利用率高，且具备低热膨胀系数、高刚性和低介电损耗特性。 中国企业已率先投产。沃格光电近期已启动二期TGV玻璃基
美银：AI驱动资本流入亚洲 万亿美元存储市场将翻倍
当地时间2026年9月18日，首尔中区友利银行总行交易室电子屏显示韩元兑美元汇率、KOSPI及KOSDAQ指数收盘价。图：IC PHOTO 【财新网】“当管理层说‘这次不一样’的时候，通常意味着见顶。但我们认为，这次是真的不一样。”美国银行（简称“美银”）全球研究部韩国股票研究主管、亚洲科技研究统筹主管禹东济称。他指出，全球存储行业年市场规模已站上约1万亿美元，预计将在2030年前后翻倍至2万亿
中国存储制造商押注先进封装，力求攀升价值链
中国存储制造商长期以来一直以将芯片封装成模块而闻名，如今它们正逐步向产业链上游延伸，涉足晶圆级封装技术。最近，又有一家公司宣布投资45亿元人民币（约合6.72亿美元）用于开发先进的封装技术。 这家在上海证券交易所上市的公司——Biwin Storage Technology——将把这笔资金用于其在广东省东莞市实施的先进封装及测试项目的第三阶段建设。该投资金额超过了该公司前两阶段投资总额（30.9亿
长鑫科技全球DRAM营收市占率升至10% 稳居第四
中国存储晶片巨头长鑫科技在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场的营收占比升至10%，进一步缩小与三星、SK海力士和美光三大厂商的差距。 市场调研机构Counterpoint Research星期三（9月2日）在官网发布的最新行业报告显示，长鑫科技今年第二季度的全球DRAM营收市占率，从去年同期的4%升至10%，位居全球第四。 同期，三星的市占率从33%升至38%，SK海力士从39%降至25%，美
报告：三星扩大全球DRAM市场领先优势 份额达39%
市场研究机构集邦咨询（TrendForce）周一发布的一份行业报告显示，2026年第二季度，三星电子以营收口径计算占据全球动态随机存取存储器（DRAM）市场39.4%的份额，在全球人工智能热潮下进一步扩大领先优势。 这份报告显示，这家韩国头部存储芯片厂商4‑6月DRAM营收环比大增63.4%，达到609.8亿美元；其市场份额较一季度的38.5%有所提升。 韩国SK海力士位列第二，市场份额为24.9
日韩两大存储巨头抱团，中国企业如何应对？
还记得7年前的日韩半导体大战吗？2019年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。 韩国虽然采取了反制+自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。如今，风向又变了。 最近，韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。 要知道，在全球NAND
中国在无需使用先进光刻设备的情况下，仍在3纳米芯片技术上取得了进展。
中国研究人员在利用较旧的光刻技术将半导体工艺节点推进至3纳米以下方面取得了初步进展，而阿斯麦更先进的极紫外光刻设备仍因美国制裁而被封锁。 这一突破标志着中国在美国出口限制下，为开辟先进芯片制造替代路径所作努力的最新进展。根据现行出口管制规定，荷兰设备巨头阿斯麦被禁止向中国客户出售其最先进的EUV光刻机——这是生产7纳米以下节点芯片的关键设备。 据台湾媒体DigiTimes周四报道，引用中国科学院微
中国长鑫存储（CXMT）在先进存储芯片上取得突破，据The Information报道
据The Information周一报道，中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产先进的高带宽内存。
#数据 韩国海关数据显示，9月1日至10日出口350亿美元，同比增82.
6%，半导体出口同比增长270%。
中国加大脑机接口推进力度
中国今年批准了一系列脑机接口设备，向国内初创企业提供大量国家补贴，以与埃隆·马斯克的Neuralink竞争。 中国已将有望恢复患者运动功能和认知能力的脑机接口列为推动增长的六大“未来产业”之一——这一举措因国家老龄化而变得更加紧迫。自1990年以来，与年龄相关的神经系统疾病病例激增42%，2021年达到4.68亿例。 北京近期取得了突破。7月，一家中国公司完成了全球首例商业脑机接口植入。不过，一家
韩国加强间谍法以保护芯片机密免受中国窥探
韩国正在加强其对工业间谍活动的防御，一项经修订的间谍法将于本周末生效。 作为全球芯片巨头三星电子和SK海力士的所在地，韩国寻求保护其先进存储技术免受日益强大的中国竞争对手的侵害。 近年来，韩国对被发现向海外泄露商业机密的芯片行业前雇员施加了越来越严厉的惩罚。 但长期以来，法院一直受到该国对间谍活动狭隘定义的制约，该定义仅适用于那些被证明为拥有核武器的对手朝鲜从事间谍活动的人。 这种情况将于周日改变
亚洲开发银行（ADB）预测韩国今年经济增长率为3.2
2026-09-23 14:19 据悉，亚洲开发银行（ADB）预测韩国今年的经济增长率为3.2%。这对比7月的预测值上调了0.6%p，得益于半导体需求扩大与民间消费恢复等，增长率预测值有所上涨。▲ 连续15个月刷新出口最高值…釜山港堆满集装箱 23日，亚洲开发银行发布《亚洲经济展望》公布了上述预期调整情况。亚洲开发银行解释称，将韩国经济增长率上调至3.2%的依据是，7月、8月制造业采购经理人指
尽管被美国技术拒之门外，中国芯片仍在取得进展
尽管美国限制获取尖端半导体技术，中国科技公司仍展示了在芯片制造方面的进展。 阿里巴巴在发布了其号称中国最强大的芯片后股价上涨，这是其在人工智能生态系统的硬件和软件组件领域进行扩张计划的一部分。 在此次发布的前几天，存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）表示其最新的芯片平台已进入量产阶段，该公司正迅速从三星和SK海力士等全球巨头手中夺取国内市场份额。 此外，研究人员也在尖端领域取得突破：中国科学院的科学
报告：韩中自贸协定对韩国经济增长贡献不及预期
韩国产业通商部向国会提交的一份报告显示，韩中自由贸易协定（FTA）对韩国国内经济增长的贡献率仅为政府预期的四分之一水平。 据韩联社报道，韩国国会产业通商资源中小风险企业委员会委员、最大在野党国民力量议员崔秀珍星期天（9月27日）公布上述内容。她从产业通商部获取2022年发布的《韩中自贸协定生效五年落实情况评估报告》，并对其进行了分析。 崔秀珍指出，自韩中自贸协定2015年生效至2020年，该协定对
中国存储制造商CXMT宣称在DRAM生产上取得突破
亚洲简讯据报道，苹果公司曾评估将中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）的产品用于iPhone。近日，该公司声称在芯片微缩技术上取得了突破。长鑫存储周日发布消息称，已开始量产采用第五代工艺制造的芯片，该工艺实质上将内存密度提高了一倍，意味着从单片晶圆上切割出的内存芯片裸片数量翻了一番。长鑫存储表示，其关键突破在于将高K金属栅极工艺（一种通过绝缘硅来提高效率的方法）应用于DRAM制造。该公司声称，这一
韩国名义GDP创47年来最快增速
得益于半导体出口和人工智能相关投资的推动，第二季度经济同比增长3.7%
长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存
据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产
长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局
中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）宣布，其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑，也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。 DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来，随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升，全球市场对先进DRAM产品的
“三星海力士存储库存不足10天…明年或现库存枯竭的空前事态”
▲ 7日上午，首尔中区韩亚银行交易室的屏幕上显示着KOSPI与KOSDAQ指数。当天，KOSPI以6910.78点开盘，较前一个交易日上涨223.57p（3.34%）。/News1 7日，韩国KB证券发布分析报告称，随着人工智能（AI）投资落地，接下来存储半导体市场将面临史无前例的供给短缺。针对近期经历股价调整进入低估区间的三星电子与SK海力士，报告预测将迎来“超强重估”。 当天，“近期全球超大规