2027年DRAM无悬念大缺货 存储原厂突发“友善通知”

据Digitimes报道，近期业界陆续收到上游存储器原厂的“友善通知”，明确转达2027年出货量将大幅紧缩，DRAM供需缺口非常大，甚至原厂2027至2028年产能几乎都被预订完。十铨总经理陈庆文表示，真正严重的缺货可能落在2027年上半年，届时外部能取得的货量非常少，十铨将只能挑选客户供货。他担忧存储芯片相关厂商挑客户因素恐怕牵动后续营收。 陈庆文指出，DRAM需求目前比NAND闪存更加稳固，缺

AI需求引发历史性短缺 三星与SK海力士内存库存跌破10天

全球人工智能产业的爆发式扩张正在半导体供应链端掀起一场前所未有的资源争夺战。根据供应链最新行业调查报告显示，全球存储芯片双雄三星电子与SK海力士的常规内存库存水平已发生断崖式下跌，两家巨头的现货库存可用天数双双跌破10天的极端警戒线，这标志着全球存储芯片市场正陷入近年来罕见的历史性供应短缺。 在传统的半导体产销周期中，存储芯片制造商通常会将安全库存水位维持在4至6周甚至更长时间，以平抑市场供需波动

长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场

中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。图为长鑫科技位于北京工厂外的标志。（路透社） 中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。路透社星期五（9月18日）引述三名知情人士称，在全球供应短缺的背景下，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场，以扩大其客户群体。此举也将让专攻动态随机存取存储器（DRAM）的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰

长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存

据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产

三星瞄准后工序打造日韩AI半导体联盟

| 在韩国三星电子研究基地的开业仪式上合影留念的该公司CEO全永铉（右起第4人）等人（9月8日，横滨市西区） |韩国半导体巨头三星电子9月8日在横滨市举行了人工智能（AI）半导体研发基地的开业仪式。三星将与在半导体组装设备和材料领域占据全球最大份额的日本企业展开合作，提升产品性能。AI半导体竞争正从单一企业转向跨越国界的企业联盟。 “加速韩国与日本的技术交流，成为共同推动下一代封装产业发展的原动力

长鑫存储二季度利润率反超三星、SK海力士与美光

据《日经亚洲》报道，数据显示，长鑫存储今年第二季度的息税前利润率达到82%，超过SK海力士、美光、三星电子半导体业务等主要存储芯片厂商，成为这一季度全球利润率最高的存储芯片企业。 相关数据来自QUICK FactSet及企业披露。同期，SK海力士息税前利润率为76%，三星电子半导体业务为70%。长鑫存储的营收较上年同期增长约10倍，在长鑫存储、三星、SK海力士、美光、铠侠和闪迪六家企业中增速最高。

封装满足不了美国，SK海力士考虑把内存制造也搬过去

SK海力士在美国的投资，可能正在跨过一条此前刻意保留的界线。 路透社9月16日援引三名知情人士称，SK海力士正在与英特尔讨论首次在美国本土制造内存芯片。其中一种方案，是租用英特尔位于俄亥俄州的部分晶圆厂；另一种更大胆的方案，则是SK海力士、英特尔以及希望锁定内存供应的大型云计算企业共同组建合资公司。谈判仍处于探索阶段，具体生产DRAM、NAND还是其他产品也没有确定。SK海力士随后强调，目前尚未决

中国存储芯片技术加速追赶全球领先水平 韩国产业协会称部分领域差距已缩小至1至3年

中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中国两大存储器企业长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）在关键技术领域已实现显著追赶，其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年，DRAM领域约为2年，而高带宽存储器（HBM）领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是，仅在数年前，业内普遍认为中国存储器产业与

三星内存持续涨价可能逼迫苹果再次上调iPhone售价

苹果可能在明年再次提高部分iPhone产品的售价。最新消息称，苹果已经接受三星电子针对下一代iPhone所提出的更高内存供应价格，而持续上涨的内存成本可能最终转嫁给消费者。 目前全球内存市场正经历一轮明显的供应紧张。人工智能数据中心持续建设，使服务器DRAM和HBM等高性能内存的需求大幅增长，内存厂商因此将更多产能投入利润更高的AI相关产品。与此同时，智能手机厂商仍然需要大量移动设备内存，这使包括

中国芯片制造商长鑫存储(CXMT)第五代DRAM平台进入量产阶段

。 2026年9月20日星期日，总部位于北京的DRAM制造商长鑫存储宣布其第五代技术平台已进入量产阶段。 该公司发布了两款用于智能手机的24Gb LPDDR5X内存产品，其数据容量比前代产品增加了50%。 该平台利用“四重曝光”技术实现了11.95纳米的特征间距，旨在降低成本和功耗，同时提高单片晶圆的芯片密度。 这一进展符合中国在面对美国持续对先进芯片制造设备实施出口管制的情况下，减少对外国半导体

日企CEO发愿：2040年，到月球生产芯片

日本共同社9月11日报道，日，日本半导体企业Rapidus总裁兼首席执行官小池敦义在美国表示，他正在认真考虑在2040年左右在月球上建造一座半导体工厂。他说，这么做的理由是月球上存在芯片生产所需的水资源。 小池当天在华盛顿参加一场由美国智库哈德逊研究所组织的活动时，做出上述表述。“这不是开玩笑。我考虑的可能是2040年左右的时间。” 小池在活动上发表讲话共同社报道称，活动上，小池向观众展示了一段人

三星已在高通骁龙8 Elite Extreme Gen6完成16GB LPDDR6内存验证

据业内人士23日消息，三星电子已在高通下一代移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen6上完成16GB LPDDR6内存验证，最高速率可达10.7Gbps。本次验证是三星从新产品开发早期阶段就与全球应用处理器（AP）厂商持续合作的成果。存储厂商即便成功研发出新产品，也必须通过与应用处理器的兼容性、运行稳定性验证流程，才能最终搭载到智能手机中。 三星于2021年推出第七代移动DRAM LPD

存储厂商产能转向企业长期协议 消费级硬件价格大幅飙升

存储制造商将产能转向企业长期协议，导致消费级硬件价格大幅上涨。 主要存储制造商，包括三星、美光和铠侠，正将供应转向与超大规模数据中心和企业客户签订的三至五年长期协议（LTA），将总产能的50%至70%分配给人工智能和数据中心需求。 这种远离消费渠道的结构性重新分配导致消费电子产品价格严重上涨，过去一年DDR5内存和SSD价格涨幅达到三位数百分比。 亚马逊、微软和谷歌等云服务提供商正看到云采用加速，

【行业速递】半导体设备板块中报业绩爆发 受益长鑫扩产利好

据专稿】2026年上半年，全球DRAM迎来AI驱动的上行周期，长鑫科技交出上市之后首份财报，营收1503.10亿元，归母净利润776.05亿元，从持续大额亏损一跃成为A股盈利规模前列的制造企业。盈利修复之后，长鑫启动新一轮大规模资本开支，数十亿美元设备采购订单向外释放，半导体设备产业链业绩向好。 A股全部27家半导体设备上市公司半年报披露，板块整体营收566.88亿元，同比增长31.06%，但内部

美芯片生产加速 三星台积电面临人才争夺战

美国政府加速发展本土芯片生产，与此同时，三星、台积电等芯片大厂在美扩产，半导体产业面临人才短缺挑战。麦肯锡（McKinsey）与SEMI基金会最新报告显示，到2030年，美国半导体产业可能面临高达15.7万名工人缺口。三星位于美国德州奥斯汀的半导体部门执行副总裁乔恩‧泰勒（Jon Taylor）对CNBC表示，目前最大担心是人才培养跟不上。麦肯锡数据显示，全美每年工程岗位毕业生中，仅3%进入半导体

SK海力士考虑采用英特尔晶圆代工生产HBM4E基础裸片

据韩国《先驱报》报道，英特尔晶圆代工业务有望赢得SK海力士HBM4E内存基础裸片的制造订单。报道称，SK海力士正考虑改变目前仅依赖台积电的供应模式，转而采取台积电与英特尔双重供应策略，而英特尔晶圆代工可能获得其中相当大的一部分订单。 HBM4E内存支持在基础裸片上集成定制逻辑，并在其上方堆叠DRAM裸片。此前，SK海力士在这一应用上只考虑台积电，如今英特尔也进入了候选名单。 通过这种设计，客户可以

一家保密初创公司认为它刚刚破解了内存短缺难题

一家雄心勃勃的芯片初创公司花费了七年多的时间默默重新设计计算机内存架构，该公司刚刚结束隐身模式，并相信其新方法有助于缓解全球内存芯片短缺问题——前提是能够实现规模化生产。 Kepler Computing 是一家总部位于加利福尼亚州圣何塞的初创公司，由一群物理学家和计算机科学家于 2018 年创立。该公司表示，它已经为高带宽内存（HBM）开发了一种新架构，直接解决了一些正在制约计算市场的芯片供应链

英伟达CEO黄仁勋：英伟达明年芯片销量将是今年的两倍。

英伟达明年芯片销量将是今年的两倍。

韩国总统李在明承诺五年内将半导体产能扩大一倍

韩国总统李在明周三公布了一项雄心勃勃的计划，旨在将韩国的半导体产能翻倍，并确保人工智能（AI）供应链免受外部冲击的影响；他同时呼吁美国加大对韩国投资。李在明是在纽约举行的“韩国投资峰会”上发表上述言论的，该峰会汇聚了来自韩国和美国的金融界及企业界领袖，旨在促进美国对韩投资。 李在明提到了韩国今年早些时候启动的“三大超级项目”，旨在建设芯片产业集群及其他人工智能设施；他补充说，韩国将通过扩建芯片生产

AI基础设施峰会记忆体荒成焦点 HBF、HBC新技术受瞩

（中央社记者张欣瑜旧金山16日专电）AI基础设施峰会在矽谷举行，科技巨头聚焦产业瓶颈。任职Google的图灵奖得主派特森指出第一大瓶颈是记忆体，「我们确实可能进入以记忆体为中心的时代」。英特尔执行长陈立武则表示，明年情况会更加严峻。 AI基础设施峰会（AI Infra Summit）15至17日在矽谷举行。台厂世芯、晶心科、华擎、创意、宜鼎、神达、华邦电等多家业者参展，横跨客制化晶片设计、处理器矽

STMicro的2027年AI收入中将有五分之四来自光学，首席财务官表示

中国最大的存储芯片制造商表示已赶上三星和美光

我们的工艺能力现已与业界最先进的大规模生产技术相当。长鑫存储科技有限公司副总裁、市场部负责人罗晓东在合肥举行的世界制造业大会上表示（据路透社报道），这家中国最大的DRAM制造商刚刚宣布其第五代技术平台已进入大规模生产阶段。 长鑫存储在其官方网站上详细介绍了该技术的具体参数：芯片的活性区域尺寸为11.95纳米，存储电容器的纵横比为45:1；该公司通过四步曝光工艺实现了这些技术指标。与第四代技术相比，

台积电、英特尔和三星在AI竞赛中均押注ASML的最新芯片设备

台北——台积电周二表示，将从2030年开始启用ASML制造的全球最先进芯片制造设备，而三星电子则计划最早在2028年采用，英特尔称已使用该新机器进行大规模生产。

宏碁CEO指出长期内存短缺预测不实，预计2027年下半年PC价格将下跌

宏碁董事长兼CEO陈俊圣向DigiTimes记者表示，主要内存供应商可能通过强调短缺恐惧持续到2030年来维持高利润率。 他指出，只有某些高端DDR5产品和利基CPU仍供应短缺，而内存和SSD供应已经充足。 陈预计PC价格将在2026年底上涨5%至20%，2027年上半年趋于平稳，并在2027年下半年随着更便宜的中国产能上线而下降。文章还指出SSD、PCB和玻璃纤维布的价格持续上涨。